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TI热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • TPS1100D

  • 制造商：Texas Instruments
  • 批号：19+
  • 描述：MOSFET MOSFET 10ns RT
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：2000+

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详细参数

  • 制造商:Texas Instruments
  • 产品种类:MOSFET
  • RoHS:是
  • 技术:Si
  • 安装风格:SMD/SMT
  • 封装 / 箱体:SOIC-8
  • 通道数量:1 Channel
  • 晶体管极性:P-Channel
  • Vds-漏源极击穿电压:15 V
  • Id-连续漏极电流:1.6 A
  • Rds On-漏源导通电阻:180 mOhms
  • Vgs - 栅极-源极电压:15 V
  • 最小工作温度:- 40 C
  • 最大工作温度:+ 85 C
  • Pd-功率耗散:791 mW
  • 配置:Single
  • 通道模式:Enhancement
  • 封装:Tube
  • 高度:1.75 mm
  • 长度:4.9 mm
  • 产品:MOSFET Small Signal
  • 系列:TPS1100
  • 晶体管类型:1 P-Channel
  • 类型:MOSFET
  • 宽度:3.9 mm
  • 商标:Texas Instruments
  • 正向跨导 - 最小值:2.5 S
  • 下降时间:10 ns
  • 产品类型:MOSFET
  • 上升时间:10 ns
  • 工厂包装数量:75
  • 子类别:MOSFETs
  • 典型关闭延迟时间:13 ns
  • 典型接通延迟时间:4.5 ns
  • 单位重量:76 mg

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