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GaN 场效应晶体管 BSP298L6327HUSA1 Infineon(英飞凌) SOT-223-4 20k咨询了解

  • 发布日期：日期：2025-06-07
  • 编辑：BSP298L6327HUSA1
  • 文章来源：陈丹丹13528438344


制造商: Infineon

产品种类: GaN 场效应晶体管
发货限制：
 Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS:
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-223-4
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 400 V
Id-连续漏极电流: 500 mA
Rds On-漏源导通电阻: 3 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, %2B 20 V
zui小工作温度: - 55 C
zui大工作温度: %2B 150 C
Pd-功率耗散: 1.8 W
通道模式: Enhancement
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 25 ns
湿度敏感性: Yes
封装: Reel
封装: Cut Tape
产品: MOSFET Small Signals
产品类型: GaN FETs
上升时间: 25 ns
系列: BSP298
1000
子类别: Transistors
技术: GaN
典型关闭延迟时间: 30 ns
典型接通延迟时间: 10 ns
零件号别名: BSP298L6327HUSA1
单位重量: 112 mg

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