制造商: Infineon  

产品种类: MOSFET  
RoHS:  详细信息  
技术: Si  
安装风格: SMD/SMT  
封装 / 箱体: SOT-223-4  
晶体管极性: P-Channel  
通道数量: 1 Channel  
Vds-漏源极击穿电压: 250 V  
Id-连续漏极电流: 430 mA  
Rds On-漏源导通电阻: 3 Ohms  
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, %2B 20 V  
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.5 V  
Qg-栅极电荷: 11.6 nC  
zui小工作温度: - 55 C  
zui大工作温度: %2B 150 C  
Pd-功率耗散: 1.8 W  
通道模式: Enhancement  
资格: AEC-Q101  
封装: Reel  
封装: Cut Tape  
封装: MouseReel  
商标: Infineon Technologies  
配置: Single  
下降时间: 67 ns  
正向跨导 - zui小值: 380 mS  
高度: 1.6 mm  
长度: 6.5 mm  
产品类型: MOSFETs  
上升时间: 11.1 ns  
系列: BSP317  
工厂包装数量: 1000  
子类别: Transistors  
晶体管类型: 1 P-Channel  
典型关闭延迟时间: 254 ns  
典型接通延迟时间: 5.7 ns  
宽度: 3.5 mm  
零件号别名: BSP317P H6327 SP001058758  
单位重量: 110 mg