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MOSFET BSP317PE6327T Infineon（英飞凌） SOT - 223 - 4 20k 咨询了解

  • 发布日期：日期：2025-11-15
  • 编辑：BSP317PE6327T
  • 文章来源：陈丹丹13528438344

基础电气属性 FET 类型为 P 通道，采用 MOSFET（金属氧化物）技术，符合 AEC - Q101 汽车级资质
电压相关 漏源电压（Vdss）250V；栅源极电压（Vgs）zui大值 ?20V；栅源极阈值电压（Vgs (th)）zui大值 2V（测试条件为 370?A）
电流相关 25?C 时连续漏极电流（Id）430mA（Ta）
导通与电荷参数 驱动电压（对应zui大 / zui小导通电阻）为 4.5V、10V；430mA、10V 条件下导通电阻zui大值 4 欧姆；10V 条件下栅极电荷（Qg）zui大值 15.1nC
电容参数 25V 漏源电压下，输入电容（Ciss）zui大值 262pF
功率与温度 功率耗散zui大值 1.8W（Ta）；结温工作温度范围 - 55?C ~ 150?C（TJ）
封装与安装 安装类型为表面贴装；封装为 PG - SOT223 - 4，兼容 TO - 261 - 4、TO - 261AA 封装规格；包装形式为卷带（TR）

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