MOSFET BSP320SL6327HTSA1 Infineon（英飞凌）PG-SOT223-4 20k 咨询了解

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MOSFET BSP320SL6327HTSA1 Infineon（英飞凌）PG-SOT223-4 20k 咨询了解

发布日期：日期：2026-01-10
编辑：MOSFET BSP320SL6327HTSA1 Infineon（英飞凌）PG-SOT223-4 20k 咨询了解
文章来源：陈丹丹13528438344

BSP320SL6327HTSA1 是英飞凌（Infineon）推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 4 引脚（3%2BTab）SOT - 223 封装，具备 60V 耐压、2.9A 导通电流与 120mΩ（10V 下）导通电阻，适用于低功耗开关等场景。以下是其he心参数与详细规格：
he心电气参数参数数值备注晶体管类型 N - 沟道增强型 MOSFET SIPMOS 系列，逻辑电平门漏源电压（VDS） 60V（zui大值） — 连续漏极电流（ID） 2.9A（25℃） — 栅源电压（VGS） ?20V（zui大值） — 导通电阻（RDS (on)） 120mΩ（zui大值，VGS=10V，ID=2.9A） — 阈值电压（VGS (th)） 2.1V - 4V（20μA 时） — 栅极电荷（Qg） 9.7nC（典型值，VGS=10V） — 输入电容（Ciss） 340pF（典型值，VDS=25V） — zui大功率耗散（Ptot） 1.8W（25℃） — 工作温度范围 -55℃ - 150℃ — 物理与封装参数参数数值备注封装类型 4 - Pin（3%2BTab）SOT - 223 表面贴装引脚数 4 鸥翼型引脚包装形式卷盘（Tape and Reel）标准包装 1000 个 / 盘尺寸（长 ? 宽 ? 高） 6.5mm?3.5mm?1.6mm — 环保合规符合 RoHS 指令无铅、无卤素应用提示该器件为逻辑电平驱动，VGS=10V 即可达到额定性能，适配多数 MCU 的 GPIO 口直接驱动。设计 PCB 时，需为漏极 Tab 提供足够散热覆铜，以保证 25℃下 1.8W 的功率耗散能力。栅极回路建议串联 10Ω - 100Ω 电阻，抑制开关过程中的振荡与噪声。