MOSFET BSP316PH6327XTSA1 Infineon（英飞凌）PG-SOT223-4 20k 咨询了解

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发布日期：日期：2026-01-24
编辑：BSP316PH6327XTSA1
文章来源：陈丹丹13528438344

BSP316PH6327XTSA1参数信息

BSP316PH6327XTSA1 是 Infineon（英飞凌）推出的 P 沟道增强型 SIPMOS 小信号功率 MOSFET，采用 SOT-223-4 封装，具备 100V 耐压、0.68A 连续漏极电流与 1.8Ω 导通电阻，适合低功耗开关与负载驱动应用。以下是其he心参数与关键规格：
he心电气参数（Ta=25℃，除非另有说明）
参数数值测试条件
晶体管类型 P 沟道增强型 —
漏源电压（VDS） 100V —
连续漏极电流（ID） 0.68A —
导通电阻（RDS (on)） 1.8Ω VGS=-10V，ID=-0.68A
栅源阈值电压（VGS (th)） 1.5V（max） ID=-170μA
栅源电压（VGS） ?20V —
zui大功耗（PD） 1.8W Ta=25℃
工作结温（TJ） -55℃～150℃ —
封装与物理特性
参数数值备注
封装 SOT-223-4 表面贴装
引脚数 4 —
包装方式卷盘（Tape & Reel） —
湿气敏感度等级（MSL） 1 无限期
RoHS 合规是 —
开关与电容特性（典型值，VDS=-25V，VGS=0V，f=1MHz）
参数数值
栅极电荷（Qg） 5.1nC
输入电容（Ciss） 146pF
上升时间（tr） 7.5ns
下降时间（tf） 25.9ns