MOSFET BSP318SL6327HTSA1 Infineon（英飞凌）PG-SOT223-4 20k 咨询了解

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发布日期：日期：2026-01-31
编辑：BSP318SL6327HTSA1
文章来源：陈丹丹13528438344

BSP318SL6327HTSA1 是英飞凌 SIPMOS 系列的 N 沟道增强型 MOSFET，采用 PG - SOT223 - 4（4 引脚，3%2BTab）封装，具备 60V 耐压、2.6A 连续漏极电流、90mΩ 通态电阻，适配逻辑电平驱动，常用于电源开关、负载驱动等场景。以下是其详细参数：
he心电气参数参数数值备注制造商 Infineon Technologies AG 英飞凌产品型号 BSP318SL6327HTSA1 SP000235371 为其别名晶体管类型 N 沟道增强型 MOSFET 逻辑电平门漏源极电压（Vdss） 60V zui大值连续漏极电流（Id） 2.6A 25?C 时栅源电压（Vgs） ?20V zui大值导通电阻（Rds (on)） 90mΩ 2.6A，10V Vgs 条件下栅极阈值电压（Vgs (th)） 2V 20μA Id 时zui大值栅极电荷（Qg） 20nC 10V Vgs 条件下输入电容（Ciss） 380pF 25V Vds 条件下 zui大功耗（Ptot） 1.8W 25?C 时工作温度范围 ?55?C ~ 150?C 结温封装与物理参数参数数值封装类型 PG - SOT223 - 4（4 引脚，3%2BTab）引脚数 4 安装方式表面贴装包装形式卷盘（Tape and Reel）尺寸（长 ? 宽 ? 高） 6.5mm?3.5mm?1.6mm 重量 112mg 开关特性参数数值开通延迟时间（td (on)） 12ns 典型值关断延迟时间（td (off)） 20ns 典型值上升时间（tr） 15ns 典型值下降时间（tf） 15ns 典型值其他参数参数数值通道模式增强型（Enhancement）符合标准欧盟 RoHS 指令标准包装数量 1000 个