MOSFET PG-SOT223-4 Infineon（英飞凌） BSP372 E6327 20k 咨询了解
- 发布日期：日期：2026-02-07
- 编辑： BSP372 E6327
- 文章来源：13528438344陈丹丹
BSP372 E6327 是 Infineon（原 Siemens）推出的 N 沟道增强型 MOSFET，带逻辑电平栅极，采用 PG-SOT223（4 引脚 SOT-223）封装。以下是核心参数与关键特性：
核心电气参数（25℃）
器件类型：N 沟道增强型 MOSFET（带续流二极管）
漏源电压（VDS）：100V
连续漏极电流（ID）：1.7A（Ta=28℃）
脉冲漏极电流（IDpuls）：6.8A
导通电阻（RDS (on)）：0.31Ω（@VGS=5V，ID=1.7A）
栅源阈值电压（VGS (th)）：0.8~2.0V（@ID=1mA）
栅源电压（VGS）：±14V（连续）；±20V（峰值非周期）
最大功耗（Ptot）：1.8W（Ta=25℃）
雪崩能量（EAS）：45mJ（ID=1.7A，VDD=25V，RGS=25Ω，L=23.3mH，Tj=25℃）
结温范围（Tj）：-55~150℃
封装与标识
封装：PG-SOT223（4 引脚，D 极与散热片相连）
丝印：BSP372
卷盘标识：E6327；标准包装 1000 片 / 卷
关键特性
逻辑电平兼容栅极，5V 驱动即可饱和导通
内置体二极管，适合开关与续流应用
符合 AEC-Q101 车规，RoHS 合规
引脚定义
G（栅极）
D（漏极）
S（源极）
D（漏极，与引脚 2 内部连通，用于散热）