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MOSFET BSP324 E6327 PG-SOT223-4 Infineon（英飞凌） 20k 咨询了解

  • 发布日期：日期：2026-02-28
  • 编辑： BSP324 E6327
  • 文章来源：陈丹丹13528438344


BSP324 E6327 是英飞凌 SIPMOS 系列的 N 沟道增强型 MOSFET，采用 SOT-223 封装，具备 400V 耐压、170mA 连续漏极电流、25Ω 导通电阻等特性，适配中高压小电流开关场景，不过该型号已停产。以下是其he心参数：
参数 数值 单位 备注
制造商 Infineon（英飞凌） - -
晶体管类型 N 沟道增强型 MOSFET - SIPMOS 技术
漏源电压（Vdss） 400 V 25?C，zui大额定值
连续漏极电流（Id） 0.17（TA=25?C）；0.14（TA=70?C） A 25?C 时zui大持续电流
脉冲漏极电流（Id puls） 0.68 A 25?C 时zui大脉冲电流
导通电阻（Rds (on)） 25 Ω Vgs=10V，Id=0.17A 时zui大值
栅源电压（Vgs） ?20 V zui大额定值
栅极阈值电压（Vgs (th)） 2.3 V Id=94μA 时zui大值
总栅极电荷（Qg） 5.9（zui大值）；4.54（典型值） nC VDD=320V，Id=0.17A，Vgs=0-10V
反向二极管连续正向电流（IS） 0.17 A 25?C 时
反向二极管脉冲正向电流（ISM） 0.68 A -
反向二极管正向电压（VSD） 1.2（zui大值）；0.8（典型值） V Vgs=0，If=0.17A
封装 SOT-223（4 引脚，3 %2B 接片） - 卷带包装，1000 片 / 卷
工作温度范围 -55~150 ?C 结温


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