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MOSFET BSP716NH6327XTSA1 PG-SOT223-4 Infineon（英飞凌） 20k 咨询了解

  • 发布日期：日期：2026-03-07
  • 编辑：BSP716NH6327XTSA1
  • 文章来源：陈丹丹13528438344

BSP716NH6327XTSA1 是英飞凌（Infineon）OptiMOS? 系列的N 沟道增强型 MOSFET，采用 SOT-223-4 封装，符合 AEC-Q101 车规级标准。以下为he心参数（Tj=25℃，除非另有说明）Infineon：

一、基本信息

  • 型号：BSP716NH6327XTSA1
  • 品牌：Infineon（英飞凌）
  • 系列：OptiMOS?
  • 封装：PG-SOT223-4（4 引脚，3 %2B 散热片）
  • 类型：N 沟道增强型（逻辑电平，4.5V 额定）
  • 车规ren证：AEC-Q101
  • 环保：无铅、无卤、RoHS compliant

二、极限参数（Maximum Ratings）

表格
参数 符号 数值 单位 条件
漏源击穿电压 V(BR)DSS 75 V —
连续漏极电流 ID 2.3 A TA=25℃
1.8 A TA=70℃
脉冲漏极电流 ID,pulse 9.2 A TA=25℃
栅源电压 VGS ?20 V —
功耗 PD 1.8 W —
单脉冲雪崩能量 EAS 33 mJ ID=2.3A, RGS=25Ω
工作结温 Tj -55 ~ 150 ℃ —
存储温度 Tstg -55 ~ 150 ℃ —

三、静态电气特性（Static Characteristics）

表格
参数 符号 zui小值 典型值 zui大值 单位 条件
栅源阈值电压 VGS(th) 0.8 — 1.4 V VDS=VGS, ID=250μA
漏源导通电阻 RDS(on) — 122 160 mΩ VGS=10V, ID=2.3A
— 138 180 mΩ VGS=4.5V, ID=2.2A
跨导 gfs 5.71 — — S VDS >2 ID RDS(on)max, ID=1.8A
体二极管正向电压 VSD — 0.86 1.1 V VGS=0V, IF=2.3A

四、动态特性（Dynamic Characteristics）

表格
参数 符号 典型值 zui大值 单位
输入电容 Ciss 237 315 pF
输出电容 Coss 41 55 pF
反向传输电容 Crss 19 29 pF
开通延迟时间 td(on) 4.6 6.9 ns
上升时间 tr 5.5 8.3 ns
关断延迟时间 td(off) 50.1 75.2 ns
下降时间 tf 16.7 25.1 ns
反向恢复时间 trr 31 46.5 ns

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