MOSFET BSP613P PG-SOT223-4 Infineon（英飞凌） 20k 咨询了解

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MOSFET BSP613P PG-SOT223-4 Infineon（英飞凌） 20k 咨询了解

发布日期：日期：2026-03-14
编辑： BSP613P
文章来源：陈丹丹13528438344

BSP613P 是英飞凌（Infineon）出品的P 沟道增强型 SIPMOS 小信号 MOSFET，封装为 SOT?223，耐压?60V、连续漏极电流?2.9A、导通电阻典型值 0.11Ω（zui大值 0.13Ω），适合负载开关、DC?DC、LED 驱动、汽车电子等场景Infineon。

一、he心参数（zui大值，Tj=25℃）
表格
参数符号数值单位说明
漏源电压 VDS -60 V zui大耐压
栅源电压 VGS ?20 V 栅极耐压
连续漏极电流（TA=25℃） ID -2.9 A 连续工作电流
连续漏极电流（TA=70℃） ID -2.3 A 降额后电流
脉冲漏极电流 IDpuls -11.6 A 脉冲峰值电流
漏源导通电阻（VGS=-10V，ID=-2.9A） RDS(on) 0.11（典型）/0.13（zui大） Ω 导通损耗关键参数
总功耗（TA=25℃） Ptot 1.8 W 封装散热限制
栅极阈值电压 VGS(th) -2.1 ~ -4 V 开启电压范围
总栅极电荷 Qg 22（典型）/33（zui大） nC 开关速度关键参数
工作 / 存储结温 Tj, Tstg -55 ~ %2B150 ℃ 温度范围
封装 — SOT?223?4 — 表面贴装
二、关键特性
P 沟道增强型：VGS 负电压导通，适合高端开关Infineon
雪崩耐量：单脉冲雪崩能量 EAS=150mJ，抗浪涌能力强
高 dv/dt：反向二极管 dv/dt=6kV/μs，适合高频开关
汽车级：符合 AEC?Q101，无铅、RoHS、无卤Infineon
应用：负载开关、DC?DC 转换器、LED 驱动、电机控制、电池管理、汽车车身电子Infineon
三、引脚定义（SOT?223）
引脚 1：栅极（G）
引脚 2/4：漏极（D）
引脚 3：源极（S）

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