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MOSFET BSP613PL6327HUSA1 PG-SOT223-4 Infineon（英飞凌） 20k 咨询了解

  • 发布日期：日期：2026-03-28
  • 编辑：BSP613PL6327HUSA1
  • 文章来源：陈丹丹13528438344

BSP613PL6327HUSA1 是英飞凌（Infineon）的 P 沟道增强型 MOSFET，he心参数：-60V/2.9A/130mΩ，封装 SOT?223?4。以下为完整参数表：

一、基本信息

  • 型号：BSP613PL6327HUSA1（别名：BSP613P L6327）
  • 制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
  • 类型：P?Channel Enhancement Mode MOSFET（P 沟道增强型）
  • 封装：SOT?223?4（4 引脚，含散热焊盘）
  • 安装方式：表面贴装（SMD/SMT）
  • 包装：Tape & Reel（卷带）
  • 生命周期：已停产（Obsolete）

二、电气参数（TA=25℃，典型 / zui大值）

表格
参数 符号 数值 条件
漏源击穿电压 V(BR)DSS -60 V —
连续漏极电流 ID -2.9 A VGS = -10 V
漏源导通电阻 RDS(on) 130 mΩ VGS = -10 V, ID = -2.9 A
栅源阈值电压 VGS(th) -2.1 ~ -3 V ID = -1 mA
栅源电压范围 VGS ?20 V —
总栅极电荷 Qg 22 ~ 33 nC VDD = -48 V, VGS = 0 ~ -10 V
输入电容 Ciss 715 ~ 875 pF VDS = -25 V, f = 1 MHz
反向传输电容 Crss 90 ~ 120 pF VDS = -25 V, f = 1 MHz
功率耗散 PD 1.8 W —
上升时间 tr 9 ns VDD = -30 V, ID = -2.9 A
下降时间 tf 7 ~ 9 ns VDD = -30 V, ID = -2.9 A
开通延迟 td(on) 6.7 ns VDD = -30 V, ID = -2.9 A
关断延迟 td(off) 26 ns VDD = -30 V, ID = -2.9 A

三、封装与温度

  • 引脚定义：Pin1=Gate，Pin2/4=Drain，Pin3=Source
  • 工作温度：-55℃ ~ %2B150℃
  • 存储温度：-55℃ ~ %2B150℃
  • 尺寸：长 6.5 mm ? 宽 3.5 mm ? 高 1.6 mm

四、体二极管特性

  • 连续正向电流：IS = -2.9 A
  • 脉冲正向电流：ISM = -11.6 A
  • 正向压降：VSD = -0.8 ~ -1.1 V（VGS=0，IF=-2.9 A）
  • 反向恢复时间：trr = 37.2 ~ 79 ns
  • 反向恢复电荷：Qrr = 59.8 ~ 112 n
  • C

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