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安森美 MOSFET onsemi） NCV8415STT1G 咨询了解 20k SOT-223-4

  • 发布日期：日期：2026-05-16
  • 编辑： NCV8415STT1G
  • 文章来源：陈丹丹13528438344


NCV8415STT1G（ONSemi，车规级低侧智能开关）
封装：SOT?223（TO?261AA），4 引脚；AEC?Q101 Grade 1，PPAP 能力，无铅 / ROHS。 一、jue对zui大额定值（Ta=25℃） 漏源电压 VDS：42 V（内部钳位） 栅源电压 VGS：?14 V 连续漏极电流 ID：11 A（zui大值） 总功耗 PD：2.2 W（SOT?223） 工作温度 TJ：?40 ℃ ~ %2B150 ℃ 存储温度：?55 ℃ ~ %2B150 ℃ 二、关键电气参数（Ta=25℃，VGS=10V） 导通电阻 RDS (on)：典型 80 mΩ，zui大 120 mΩ 栅极阈值电压 VGS (th)：zui大 2 V 电流限制 ILIM：典型 23 A（固定限流） 热阻 RθJA：41.8 ℃/W；RθJC：10.6 ℃/W 三、保护特性 ? 短路保护：带浪涌电流管理 ? 过流 / 过温保护：Δ 热关断 %2B 自动重启 ? 过压保护：漏?栅集成钳位 ? ESD 保护：高 dV/dt 抗扰 四、应用 汽车 / 工业：阻性、感性、容性负载开关 替代继电器与分立电路，如燃油喷射、电磁阀驱动 五、引脚（SOT?223） GATE：逻辑电平输入 / 故障指示 DRAIN：功率输出（接负载） SOURCE：地 NC：空脚

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