MOSFET NCV8405STT3G SOT-223-4 安森美（onsemi） 20k 咨询了解

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MOSFET NCV8405STT3G SOT-223-4 安森美（onsemi） 20k 咨询了解

发布日期：日期：2026-05-30
编辑：NCV8405STT3G
文章来源：陈丹丹13528438344

NCV8405STT3G（安森美 ON Semiconductor）

基本描述：42V/6A 车规级自保护低端驱动管（集成 N 沟道 MOSFET %2B 保护电路），封装SOT-223(TO-261-4)，符合AEC-Q101，汽车级应用onsemi。
一、极限参数（Ta=25℃）
表格

参数
符号
数值
单位
漏源击穿电压（钳位）
VDSS
42
Vonsemi
栅源电压
VGS
?14
Vonsemi
连续漏极电流（内部限流）
ID
6（典型）
Aonsemi
单脉冲雪崩能量
EAS
275
mJonsemi
负载 dump 电压
VLD
53
Vonsemi
工作结温
TJ
-40~150
℃onsemi
存储温度
Tstg
-55~150
℃onsemi
功耗（SOT-223，Ta=25℃）
PD
1.7
Wonsemi

二、电气特性（TJ=25℃）
1. 关断特性
漏源击穿电压 V(BR)DSS：42~51V（典型 46V）onsemi
零栅压漏电流 IDSS：≤10μA（VDS=32V）onsemi
2. 导通特性
栅阈电压 VGS(th)：1.0~2.0V（典型 1.6V）onsemi
导通电阻 RDS(on)：
VGS=10V，ID=1.4A：典型 90mΩ，zui大 100mΩonsemi
VGS=5V，ID=1.4A：典型 105mΩ，zui大 120mΩonsemi
源漏正向压降 VSD：典型 1.05V（IS=7A）onsemi
3. 开关特性
开通时间 tON：典型 20μsonsemi
关断时间 tOFF：典型 110μsonsemi
4. 保护特性
过流限制 ILIM：
VGS=5V：6~11A（典型 9A）onsemi
VGS=10V：7~13A（典型 10.5A）onsemi
过热关断温度 TLIM(off)：150~200℃（典型 180℃），自动重启（迟滞 15℃）onsemi
ESD 防护：HBM 4kV，MM 400Vonsemi
三、关键特点
集成保护：过流、过热、过压（漏栅钳位）、ESD、dV/dt 抗扰onsemi
车规ren证：AEC-Q101，适用于恶劣汽车环境（车灯、电磁阀、继电器替代）onsemi
逻辑电平输入：直接 MCU 驱动，无需额外驱动电路onsemi
无铅 / 无卤：RoHS 合规onsemi
四、封装与引脚（SOT-223）
表格

引脚
功能
1
GATE（栅极，输入控制）
2
DRAIN（漏极，接负载）
3
SOURCE（源极，接地）
4
DRAIN（漏极，增强散热）

五、应用场景
汽车电子：车灯驱动、低功率电机（车窗 / 雨刮）、电磁阀、继电器替代onsemi
工业：24V 系统负载开关、PLC 输出、继电器 / 电磁阀驱动onsemi
消费电子：电池供电设备负载开关onsemi
六、型号说明
NCV8405STT3G：SOT-223，卷带 4000pcs / 盘，无铅环保onsemi
后缀差异：STT1G（1000pcs / 盘）、DTRKG（DPAK 封装）onsemi

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