NCV8406STT3G 参数（已停产，替代型号 NCV8406ASTT3G）

关键电气参数

• 漏源击穿电压 V (BR) DSS：65V（zui小值）
• 连续漏极电流 ID：7A（典型值）
• 导通电阻 RDS (on)：185mΩ（典型值），210mΩ（zui大值）
• 峰值电流限制 ILIM：8.5A（典型值）
• 负载突降电压 VLD：75V
• 单脉冲电感负载开关能量 EAS：110mJ

功率与温度

• zui大功耗 PD：1.31W（TA=25 C）
• 工作结温范围 TJ：-40 C ~ 150 C
• 存储温度范围 Tstg：-55 C ~ 150 C
• 热阻 RθJA：70 C/W（典型值）

开关特性（典型值）

• 开通延迟时间 td (on)：127ns
• 上升时间 tr：486ns
• 关断延迟时间 td (off)：1600ns
• 下降时间 tf：692ns

保护功能

• 短路保护（SCP）
• 过热关断（自动重启）
• 过压保护（集成漏极 - 门极钳位）
• ESD 保护
• 抗 dV/dt 干扰

其他

• 输入 / 输出比：1:1（同相）
• 通道类型：N 沟道，低侧驱动
• ren证：AEC-Q101（汽车级），RoHS 合规

替代型号 NCV8406ASTT3G 差异

• 状态：有源（生产中）onsemi
• RDS(on)：210mΩ（zui大值）
• 封装 / 引脚：完全兼容，可直接替换onsemi