NCV8440STCT3G（安森美 ONSEMI）

一、jue对zui大额定值（Ta=25?C）

• 漏源电压 VDS：52 V（min）onsemi
• 连续漏极电流 ID：2.6 A（Ta）
• 栅源电压 VGS：?15 V
• 功耗 PD：1.69 W（Ta）
• 工作温度 TJ：?55?C ～ %2B150?C
• 静电耐压 HBM：5000 V

二、电气参数（Ta=25?C）

• 导通电阻 RDS (on)：典型 95 mΩ、zui大 110 mΩ（@ID=2.6A, VGS=10V）
• 栅极阈值电压 VGS (th)：zui大 1.9 V（@100 μA）
• 栅极电荷 Qg：zui大 4.5 nC（@VGS=4.5V）
• 输入电容 Ciss：zui大 155 pF（@VDS=35V）

三、关键特性

• 集成 漏?栅钳位（过压保护）
• 集成 栅?源 ESD 保护
• 内置 串联栅电阻，简化驱动
• AEC?Q101 汽车级ren证
• 低侧开关应用（电磁阀、车灯、小电机）

四、封装与包装

• 封装：SOT?223?4（TO?261?4）onsemi
• 包装：卷带（TR），每卷 1000 只onsemi