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MOSFET NCV8405STCT1G SOT-223-4 安森美（onsemi） 20k 咨询了解

  • 发布日期：日期：2026-08-22
  • 编辑：MOSFET NCV8405STCT1G SOT-223-4 安森美（onsemi） 20k 咨询了解
  • 文章来源：陈丹丹13528438344


一、基本信息

  • 型号：NCV8405STT1G（丝印：8405A）
  • 封装：SOT?223?4（TO?261?4D）onsemi
  • 通道：N 沟道，单通道低边开关
  • 等级：AEC?Q101 车规ren证onsemi
  • 包装：编带（T1G=1k / 盘）onsemi

二、jue对zui大额定参数（Ta=25℃）

表格
参数 符号 数值 单位
漏源电压（钳位） V(BR)DSS 42 V
栅源电压 VGS ?14 V
连续漏极电流 ID(cont) 6 A
zui大功耗（SOT?223） PD 1.7 W
工作结温 TJ ?40 ~ %2B150 ℃
存储温度 Tstg ?55 ~ %2B175 ℃

三、电气特性（Ta=25℃，VGS=10V）

表格
参数 符号 典型值 zui大值 单位
导通电阻 RDS(on) 90 100 mΩ
栅极阈值电压 VGS(th) 1.6 2.0 V
漏极截止电流 IDSS 2 10 μA
栅极输入电流 IG 50 100 μA
源漏正向压降 VSD 1.05 – V

四、保护与动态特性

  • 过流保护（OCP）：固定限流 9A（典型）安森美
  • 过热关断（TSD）：150℃ 关断，135℃ 自动重启onsemi
  • 过压保护（OVP）：集成漏?栅钳位，53V 负载 dump 耐受
  • ESD 防护：HBM > 2kV
  • 开关时间：ton≈20μs，toff≈110μs
  • 压摆率：开通≈1V/μs，关断≈0.4V/μs

五、关键优势与应用

  • ? 集成保护：省外部 MOSFET %2B 驱动 %2B 保护，简化 BOM
  • ? qi车场景：12V 系统负载开关、车灯 / 电机驱动、ECU 电源分配onsemi
  • ? 替代继电器：长寿命、快响应、无触点磨损onsemi

六、型号后缀说明

  • STT1G：SOT?223，编带，1k / 盘
  • STT3G：SOT?223，编带，3k / 盘
  • DTRKG：DPAK（TO?252）封装安森美

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