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MOSFET BSP316PL6327HTSA1 Infineon（英飞凌）：PG-SOT223 20k 咨询了解

  • 发布日期：日期：2025-12-06
  • 编辑：BSP316PL6327HTSA1
  • 文章来源：陈丹丹13528438344


BSP316PL6327HTSA1 是英飞凌（Infineon Technologies AG）推出的 P 沟道增强型 MOSFET，适用于电源管理、汽车电子等场景，he心参数围绕 100V 耐压、0.68A 载流能力设计。其详细参数如下：

电气参数

参数名称 数值 备注
漏源击穿电压（Vds） 100V
连续漏极电流（Ids） 0.68A（680mA） 25℃下的额定值
zui大门源电压（Vgs） �20V
栅源阈值电压（Vgs (th)） zui大 2V（@170μA）/1.5V（典型值）
漏源导通电阻（Rds (on)） 1.8Ω（@10V Vgs，680mA）/1.4Ω（典型值） 不同测试条件下的数值差异
栅极电荷（Qg） 6.4nC（@10V Vgs）
输入电容（Ciss） 146pF（@25V Vds）
zui大功率耗散（Pd） 1.8W

封装与物理参数

  • 封装形式：SOT-223（PG-SOT223-4，4 引脚，3%2BTab），也有资料标注为 TO-261-4（二者均为表面贴装封装，SOT-223 更小型化，适用于高密度 PCB）
  • 引脚数：4 引脚（鸥翼型引脚）
  • 安装方式：表面贴装（Surface Mount）
  • 包装规格：卷带式（Tape and Reel）
  • 封装尺寸：长 6.5mm、宽 3.5mm、高 1.6mm（SOT-223 标准尺寸略有差异）

工作温度与环境参数

  • zui低工作温度：-55℃
  • zui高工作温度：150℃（结温zui大值）
  • RoHS 合规性：符合欧盟 RoHS 指令

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