BSP300 E6327 是英飞凌推出的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，常应用于小信号相关电路场景，其he心及详细参数如下：

1. he心电气参数

   参数名称	具体数值	说明
   漏源击穿电压	zui小 800V	保障器件在高电压场景下的耐压稳定性
   连续漏极电流	0.19A（25℃）	常温下可持续承载的漏极电流
   脉冲漏极电流	0.76A（25℃）	短时间脉冲工况下能承受的zui大漏极电流
   漏源导通电阻	zui大 20Ω	在规定工作条件下的导通损耗相关关键参数
   栅源阈值电压	2.0 - 4.0V @1mA	使器件开始导通的zui小栅源电压范围
   雪崩能效等级	36mJ	单脉冲雪崩工作模式下的能量承受能力
   zui大功率耗散	1.8W（25℃）	常温下器件可承受的zui大功耗，超过易过热损坏
   输入电容	170pF @25V（Vds）	影响器件开关速度的关键参数

2. 封装与物理参数

   参数名称	具体数值
   封装类型	SOT - 223
   引脚数	4
   安装方式	表面贴装
   端子形式	鸥翼型
   封装材料	塑料 / 环氧树脂

3. 工作环境参数

   参数名称	具体数值
   zui高工作温度	150℃
   zui低工作温度	-55℃
   峰值回流温度	255℃
   湿度敏感等级	1 级