MOSFET BSP320S E6433 Infineon（英飞凌）：PG-SOT223-4 20k 咨询了解

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MOSFET BSP320S E6433 Infineon（英飞凌）：PG-SOT223-4 20k 咨询了解

发布日期：日期：2025-12-20
编辑： BSP320S E6433
文章来源：陈丹丹13528438344

BSP320S E6433 是 Infineon 的 N 沟道增强型 MOSFET，60V/2.9A，SOT-223-4 封装，适用于负载开关、DC-DC 及电机控制。

he心参数（25?C）
参数数值条件
漏源电压 Vds 60V jue对zui大
连续漏极电流 Id 2.9A Ta=25?C
脉冲漏极电流 Idm 11.6A 短脉冲
导通电阻 Rds (on) 120mΩ Id=2.9A，Vgs=10V
栅源阈值 Vgs (th) 2.1–4.0V Id=20μA
栅电荷 Qg 12nC Vgs=10V
输入电容 Ciss 340pF Vds=25V
zui大功耗 Pd 1.8W Ta=25?C
工作温度 Tj -55?C~150?C 结温
雪崩能量 Eas 60mJ 单次脉冲
封装与物理
封装：PG-SOT223-4（TO-261-4），4 引脚表面贴装
外壳连接：漏极（Drain）
端子镀层：无铅，符合 RoHS 与卤素管控
包装：卷盘（TR），4000 片 / 盘
选型要点
逻辑电平栅极，可直接由 MCU I/O 驱动
低 Rds (on) 适合中低功率开关，兼顾效率与散热
内置体二极管，简化续流设计
150?C 结温与雪崩额定，可靠性高
应用建议
负载开关：建议 Vgs≥10V 以降低导通损耗
散热：Ta>25?C 时需 > 25?C 时需降额，必要时加 PCB 散热焊盘
驱动：Qg=12nC，适合 10kHz~1MHz 开关频率