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MOSFET BSP316PE6327T Infineon（英飞凌）：PG-SOT223-4 20k 咨询了解

  • 发布日期：日期：2025-12-27
  • 编辑：
  • 文章来源：BSP316PE6327T

BSP316PE6327T 是 Infineon 推出的 P 沟道增强型 MOSFET，采用 PG?SOT223?4 封装，具备逻辑电平栅极，适用于 100V/0.68A 以下的负载开关与电源切换应用。

he心参数

参数 数值 备注
器件类型 P?Channel MOSFET（增强型） 逻辑电平栅极
漏源电压（Vdss） 100V 额定耐压
连续漏极电流（Id） 680mA（Ta=25?C） 持续工作电流
脉冲漏极电流（Idm） 2.6A 峰值电流
导通电阻（Rds (on)） 1.8Ω（@Vgs=10V, Id=680mA） 典型导通阻抗
栅源阈值电压（Vgs (th)） 2V（@Id=170μA） 开启电压上限
栅极电荷（Qg） 6.4nC（@Vgs=10V） 总栅极电荷
输入电容（Ciss） 146pF（@Vds=25V） 输入电容
zui大功率耗散（Pd） 1.8W（Ta=25?C） 功率损耗上限
工作温度范围 -55?C～150?C（Tj） 结温范围
封装 PG?SOT223?4（TO?261?4） 表面贴装，4 引脚
栅源电压（Vgs） ?20V 栅极耐压
特性 内置体二极管 续流与反向保护

关键特性与应用

  • 逻辑电平栅极：可直接由 3.3V/5V 逻辑信号驱动，无需额外栅极驱动电路。
  • 内置体二极管：简化反向电流路径，适合感性负载续流保护。
  • 封装优势：PG?SOT223?4（TO?261?4）散热性能优于 SOT?23，便于 PCB 布局与焊接。
  • 典型应用：100V/0.68A 以下的负载开关、电源路径切换、DC/DC 转换器的同步整流与反向极性保护等。

选型提示

  • 降额设计：在高温或高海拔环境下，需对 Vdss、Id 和 Pd 进行降额，以确保长期可靠性。
  • 驱动设计：逻辑电平栅极虽简化驱动，但需注意栅极电阻匹配与寄生电感影响，避免开关噪声。
  • 散热考量：根据实际功耗与环境温度，合理设计 PCB 散热铜箔或添加散热焊盘，以控制结温在 150?C 以下。

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