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安森美 MOSFET onsemi） NCV8415STT3G 咨询了解 20k SOT-223-4

  • 发布日期：日期：2026-07-18
  • 编辑：NCV8415STT3G
  • 文章来源：陈丹丹13528438344

NCV8415STT3G（安森美 ONSEMI）

概述：带浪涌电流管理的自保护低侧驱动器（N 沟道 MOSFET），车规级（AEC?Q101 Grade 1），SOT?223（TO?261?4）封装。

一、he心参数（zui大额定值，25?C）


参数 符号 数值 单位
漏源击穿电压（zui小值） V(BR)DSS 42 V
栅源电压 VGS ?14 V
连续漏极电流（zui大值） ID 8.8 A
峰值漏极电流（浪涌） IDM 9 A
总功耗（SOT?223） PD 2.2 W
工作结温 TJ -40 ~ %2B150 ?C
热阻（结?环境） RθJA 41.8 ?C/W

二、电气特性（25?C，VGS=10V）

表格
参数 符号 典型值 zui大值 单位
漏源导通电阻 RDS(on) 105 120 mΩ
栅极阈值电压 VGS(th) 1.6 2 V
关断延迟时间 tOFF 70 - μs
开通延迟时间 tON 13 - μs
上升时间 tr 9 - ns
下降时间 tf 29 - ns

三、保护功能

  • 短路保护：带浪涌电流管理，限制峰值电流≈9A。
  • 热关断：过温自动关断，自动重启；Δ 热关断（双温度检测）。
  • 过压保护：漏?栅集成钳位（42V），抑制感性负载尖峰。
  • ESD 保护：栅极 ESD 防护，抗 dV/dt 干扰。

四、封装与引脚（SOT?223?4）

  1. G（栅极）：逻辑电平输入（3~10V），故障指示端。
  2. D（漏极）：电源 / 负载端，内部钳位至 42V。
  3. S（源极）：接地端。
  4. NC：空脚（内部连接 S）。

五、应用场景

  • 汽车：车灯、继电器、电机、电磁阀驱动。
  • 工业：替代机电继电器，驱动阻性 / 感性 / 容性负载。
  • 优势：无需续流二极管，简化外围电路。

六、关键特点

  • 车规ren证：AEC?Q101 Grade 1，PPAP 能力。
  • 低导通电阻：105mΩ，低损耗。
  • 集成保护：过流 / 过温 / 过压 / ESD，高可靠性。
  • 逻辑输入：3V 即可驱动，兼容 MCU / 逻辑门。

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